MMDC 接口与 STM32 的 FSMC 接口雷同好看的欧美情色电影，只不外 MMDC 接口专用于外接 DDR，而且 MMDC 外部引脚不复用。MMDC 是一个多模的 DDR 为止器，不错趋承 16 位宽的 DDR3/DDR3L、16 位宽的 LPDDR2。
MMDC 是一个可建设、高性能的 DDR 为止器。MMDC 外设包含一个内核（MMDC_CORE）和 PHY（MMDC_PHY），内核和 PHY 的功能如下：
MMDC_CORE肃肃通过 AXI 接口与系统进行通讯，达成 DDR 大喊生成、DDR 大喊优化和读写数据旅途。为止所有 MMDC 的功能达成。
MMDC_PHY肃肃时序调整和校准，使用荒芜的校准机制以确保数据被平常收发， 最高救助 400MHz。
1.1 MMDC信号引脚在使用 STM32 的时候 FMC/FSMC 的 IO 引脚是带有复辛勤能的，若是不接 SRAM 或 SDRAM 的话 FMC/FSMC 是不错用作其他外设 IO 的。然则，关于 DDR 接口就不一样了，因为 DDR 关于硬件条款相等严格，因此 DDR 的引脚都是孤独的，一般莫得复辛勤能，只作念为 DDR 引脚使用。I.MX6U 也有专用的 DDR 引脚如下：
1.2 MMDC时钟源
默许情况下 PLL2 的 PFD2 时钟输出看成 MMDC 的根时钟，时钟频率为 400MHz(试验396MHz)。时钟产生旅途如下图所示：
PLL2 的 PFD2 历程两个时钟聘任寄存器（标号①和②）和一个时钟分频寄存器（标号③）之后趋承到 MMDC_CLK_ROOT。具体寄存器在时钟树中也曾标出。终点注宗旨是，在时势中不成放纵修改时钟聘任寄存器以实时钟分频寄存器，因为时势平常运行会使用 DDR，而不正确的修改 DDR 根时钟会形成系统崩溃。二、DDR简介
DDR 内存是 SDRAM 的升级版块，SDRAM 分为 SDR SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。
DDR 全称是 Double Data Rate SDRAM，也便是双倍速率 SDRAM，看名字就知谈 DDR 的速率(数据传输速率)比 SDRAM 高 1 倍！这 1 倍的速率不是纯粹略单的将 CLK 培育 1 倍，SDRAM 在一个 CLK 周期传输一次数据，DDR 在一个 CLK 周期传输两次数据，也便是在飞腾沿和着落沿各传输一次数据，这个见地叫作念预取(prefetch)，十分于 DDR 的预取为 2bit，因此 DDR 的速率径直加倍！比如 SDRAM 速率一般是 133~200MHz，对应的传输速率便是 133~200MT/s，在刻画 DDR 速率的时候一般都使用 MT/s，也便是每秒些许兆次数据传输。133MT/S 便是每秒 133M 次数据传输，MT/s 刻画的是单元技术内传输速率。相通 133~200MHz 的频率，DDR 的传输速率就变为了 266~400MT/S，是以全球常说的 DDR266、DDR400 便是这样来的。
DDR2 在 DDR 基础上进一步加多预取(prefetch)，加多到了 4bit，十分于比 DDR 多读取一倍的数据，因此 DDR2 的数据传输速率便是 533~800MT/s，这个也便是全球常说的 DDR2 533、DDR2 800。固然了，DDR2 还有其他速率，这里仅仅说最常见的几种。
DDR3 在 DDR2 的基础上将预取(prefetch)培育到 8bit，因此又得回了比 DDR2 高一倍的传输速率，因此在总线时钟相通为 266~400MHz 的情况下，DDR3 的传输速率便是 1066~1600MT/S。I.MX6U 的 MMDC 外设用于趋承 DDR，救助 LPDDR2、DDR3、DDR3L，最高救助 16 位数据位宽。总线速率为 400MHz(试验是 396MHz)，数据传输速率最大为 800MT/S。这里咱们讲一下 LPDDR3、DDR3 和 DDR3L 的区别，这三个都是 DDR3，然则区别主要在于责任电压，LPDDR3 叫作念低功耗 DDR3，责任电压为 1.2V。DDR3 叫作念标压 DDR3，责任电压为 1.5V，一般台式内存条都是 DDR3。DDR3L 是低压 DDR3，责任电压为 1.35V，一般手机、镶嵌式、札记本等都使用 DDR3L。
三、引脚细目我使用的是 野火_EBF6ULL S1 Pro 设备板，DDR型号是 MT41K256M16TW-107，容量 256M*16 共 512M 字节，数据宽度 16 位。
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四、DDR3测试4.1 下载DDR测试软件和建设文献
NXP 提供了一个相等好用的 DDR 测试软件，叫作念 ddr_stress_tester。官网下载：https://community.nxp.com/docs/DOC-102005百度网盘：
翻开下载地址，如下图所示。
咱们需要下载测试软件和测试需要使用的建设文献。如下图所示。
点击标号①，在附件中找到 建设文献，点击附件下载即可。如下图所示。
点击标号②，在附件中找到 下载器具，下载即可，如下图所示。
下载完成并解压如下图所示：
4.2 建设文献确认
翻开 I.MX6UL_DDR3_Script_Aid_V0.02.xlsx 文献，如下图所示。
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建设文献包括三部安分容：
建设文献着实认匡助信息，告诉用户此文献怎样使用。
建设选项通过此表不错缔造板子的 DDR 信息，临了生成一个 .inc 收尾的 DDR 驱动化剧本文献。
左证建设选项自动生成的.inc体式的建设文献这个 .inc 文献就包含了 DDR 的驱动化信息，一般都是寄存器地址和对应的寄存器值。DDR测试软件会用到这个文献。
4.2.1 建设选项第二个文献是咱们要修改的建设选项，如下图所示。
上图中黄色和蓝色选项框需要左证硬件平台聘任即可，这里默许是 NXP 官方评估板的建设参数。 若是使用的是 野火_EBF6ULL S1 Pro 设备板这些建设参数无谓修改，保捏默许即可。
具体的建设界面，主要分为三部分：
① 驱动信息（Device Information）这部安分容建设DDR芯片联系信息。各建设项先容如下：
Manufacturer： DDR芯片厂商，默许为镁光(Micron)，这个莫得预见，若是不改，建设文献亦然不错使用的。
Memory part number： DDR芯片型号，不错无谓缔造，莫得试验预见。
Memory type： DDR类型，有DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333和DDR3-1600。这里只可通过下拉框聘任，左证你使用的DDR芯片聘任即可，咱们聘任DDR3-1600。
DRAM density (Gb)： 芯片容量，单元是Gb，咱们的DDR容量是512M字节 * 8 = 4Gb。容量左证试验容量聘任即可。
DRAM Bus Width： 数据宽度，16位。
Number of Banks： DDR banks数目，时常情况下DDR3L都是8个bank。如有荒芜情况左证试验数目聘任即可。
Number of ROW Addresses： 行地址线数目，可选11~16条。这个要具体所使用的DDR3芯片来定，这里使用15条。
Number of COLUMN Addresses： 列地址线数目，可选9~12条。这个要具体所使用的DDR3芯片来定，这里使用10条。
Page Size (K)： DDR芯片页大小，咱们使用的DDR页大小是2K，其他芯片左证芯片手册确认聘任即可。
Self-Refresh Temperature (SRT)： 自刷新，这个选项框是关于 i.MX6UL 来说是不可修改的。
tRCD=tRP=CL (ns)、tRC Min (ns)、tRAS Min (ns)： DDR联系延时联系参数，这些参数从DDR芯片数据手册中得回。
② 系统信息（System Information）系统信息大多是固定的，时常情况下不需要修改，具体先容如下：
i.Mx Part： 芯片类型，固定为i.MX6UL。
Bus Width： 数据总线宽度，16位。
Density per chip select (Gb)： 每片DDR芯片的容量，单元Gb，咱们的DDR容量是512M字节*8 = 4Gb，根试验使用的DDR芯片聘任即可。
Number of Chip Selects used： 使用了些许片DDR芯片，咱们使用了1片，左证试验使用数目聘任。
Total DRAM Density (Gb)： 系数的DDR容量，咱们使用了1片512M字节的DDR3L，是以这里聘任4。
DRAM Clock Freq (MHz)： DDR责任频率，默许400MHz。
DRAM Clock Cycle Time (ns)： 一个时钟周期的技术长度，左证DDR责任频率计较即可，1/400M =2.5ns。
Address Mirror (for CS1)： 地址镜像，仅CS1灵验。聘任Disable。
③ 硬件SI参数（SI Configuratin）这里缔造的是硬件阻抗，保捏默许即可。
4.2.2 保存建设信息修改完成后，建设信息自动更新到 RealView.inc 文献，如下图所示：
RealView.inc 不成径直用，咱们需要新建一个以 .inc 收尾的文献，名字自界说，但最佳不要用汉文。
使用 VS code 翻开 RealVies.inc 文献（也可使用其他器具翻开）。复制原建设文献中的一皆内容到新建的 ALIENTEK_512MB.inc 文献，保存即可。后头 DDR 测试软件会使用到该建设文献。4.3 装配ddr_stress_tester
双击 ddr_stress_tester_v3.00_setup.exe，软件会自动生成咱们需要的测试器具，如下图所示。
一直点击下一步即可，最终会在面前文献夹下生成咱们需要的测试软件如下图所示。
参加生成的器具，如下图所示。
4.4 DDR校准
双击DDR_Tester.exe，翻开测试软件如下图所示。
左证使用的硬件平台进行建设。
建设完成后，将设备板缔造为 USB 启动形势，点击 Download 按钮将测试代码下载到设备板中，下载完成以后 DDR Test Tool 下方的信息窗口就会输出一些内容。
DDR TestTool 器具有三个测试项：DDR Calibration、DDR Stess Test 和 32bit Memory Read/Write，咱们最初要作念校准测试，因为不同的 PCB、不同的 DDR3L 芯片对信号的影响不同，必须要进行校准，然后用新的校准值从头驱动化 DDR。点击 Calibraton 按钮，校准完成后会输出校准后的寄存器值，如下图所示。
若是校准收效软件会输出收效教导信息，如上图标号①所示。标号②处是校准后得到的6个寄存器的值， 咱们需要用这些寄存器的值替换校准文献中的值。
举例咱们使用的建设文献为 ALIENTEK_512MB.inc，使用 VS code 翻开后径直搜索寄存器地址，举例修改 MMDC_MPWLDECTRL0 寄存器，则径直搜索 0x021b080c，找到后径直使用校准后的值 0x00050003 替换现存值即可。终点提醒，默许情况下，建设文献中找不到 MMDC_MPWLDECTRL1(0x021b0810) 和 MPDGCTRL1 PHY0(0x021b0840)， 这两个寄存器径直忽略即可。修改完成后保存即可。
ALIENTEK_512MB.inc 修改完成以后从头加载并下载到设备板中，至此 DDR 校准完成。4.5 DDR性能测试
校准完成以后就不错进行 DDR3 超频测试，超频测试的方向便是为了考试 DDR3 硬件蓄意合分歧理，一般 DDR3 大意超频到比措施频率高 10%~15%的话就觉得硬件莫得问题。
DDR Test Tool 救助 DDR3 超频测试，只好指定肇端频率和断绝频率，那么器具就会自动入手少量点的加多频率，直到达到断绝频率或者测试失败。
缔造好肇端频率为 400MHz，断绝频率为 600MHz，缔造好以后点击 Stress Test 按钮开启超频测试，超频测试技术相比久，请耐性恭候。
从上图不错看出，当超频到556MHz是出现了失误好看的欧美情色电影，确认我测试的这块设备板最高频率为552MHz， 不同设备板稍有折柳，但都能自在400M的措施责任频率。